[发明专利]微型半球谐振陀螺及其制备方法

摘要

本发明公开了一种微型半球谐振陀螺及其制备方法，属于微/纳加工制造领域。制备时，首先ICP刻蚀高阻硅片得到硅体1；沉积多晶硅并刻蚀得到初期电极3；正面沉积二氧化硅，图形化形成二氧化硅掩膜4；刻蚀得到半球谐振子空腔5和电极6；去除二氧化硅掩膜4，背面ICP刻蚀得到支撑体空腔7；正反两面沉积二氧化硅绝缘层8；正反两面沉积多晶硅，得到半球谐振子9、支撑体10和信号加载电极11；正面减薄抛光，去除多余多晶硅，刻蚀二氧化硅，得到可动的半球谐振子9。本发明的有益效果：加工支撑体空腔，并沉积二氧化硅和多晶硅，易于控制支撑体的支撑面的大小；利用加工电极槽沉积填充可导电的多晶硅，克服了驱动电极和敏感电极工作面积过小的缺点。

主权项

微型半球谐振陀螺，包括位于绝缘层（8）上的硅体（1），所述硅体（1）上有半球谐振子空腔（5）；壳状的半球谐振子（9）通过支撑体（10）悬置于硅体（1）上，且所述半球谐振子（9）与硅体（1）上的半球谐振子空腔（5）同心；半球谐振子（9）与支撑体（10）材料均为导电性良好的多晶硅，且支撑体（10）与硅体（1）之间通过绝缘层（8）电绝缘；半球谐振子（9）电信号通过支撑体（10）与置于绝缘层（8）下方的信号加载电极（11）连通；硅体（1）端面沿半球谐振子空腔（5）的圆周均布有多个驱动电极（12）和敏感电极（13），其特征在于：所述支撑体（10）为沉积多晶硅形成的扇形环结构；所述驱动电极（12）和敏感电极（13）为在硅体（1）表面沉积和电极槽（2）内沉积填充多晶硅，对多晶硅图形化后形成具有一定深度的电极。