[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明属于显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管的制造方法，本发明所提供的薄膜晶体管的制造方法，通过慢速生成模式形成栅绝缘层和半导体层接触界面上的薄膜，结构致密，结晶颗粒小且均匀，接触电阻小，保证了该接触界面的导电能力，使薄膜晶体管具有开关功能。对于不在该接触界面上的薄膜则采用快速生成模式形成，既可以缩短生产时间，提高制造设备的利用率和生产产能，又可以确保栅绝缘层薄膜的厚度，保证薄膜晶体管的质量。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，包括在栅电极图案和源漏极图案之间形成栅绝缘层和有源层图案的步骤，其特征在于，形成栅绝缘层的步骤包括：通过快速生成模式形成第一栅绝缘层薄膜，和通过慢速生成模式形成第二栅绝缘层薄膜，其中，第一栅绝缘层薄膜位于栅电极图案和第二栅绝缘层薄膜之间；形成有源层图案的步骤包括：通过慢速生成模式形成第一半导体层薄膜，和通过快速生成模式形成第二半导体层薄膜，其中，第二半导体层薄膜位于源漏极图案和第一半导体层薄膜之间；在第二半导体层薄膜和源漏极图案之间形成掺杂半导体层薄膜；通过构图工艺形成有源层图案。