[发明专利]多层堆叠的光吸收薄膜与其制造方法及太阳能电池有效
申请号: | 201310016193.5 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103872156A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 邱鼎文;林伟圣;张仁铨;李宙澄 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种多层堆叠的光吸收薄膜与其制造方法及太阳能电池。该多层堆叠的光吸收薄膜包括:第一层位于衬底上,且第一层是CuIn1-xGaxSe2,其中0<x≤1;第二层位于第一层上,且第二层是CuInSe2;第三层位于第二层上,且第三层是CuzSe,其中0<z≤2;第四层位于第三层上,且第四层是CuInSe2;以及第五层位于第四层上,且第五层是CuIn1-x’Gax’(Se1-ySy)2,其中0<x’≤1,且0≤y<1。 | ||
搜索关键词: | 多层 堆叠 光吸收 薄膜 与其 制造 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种多层堆叠的光吸收薄膜,其特征在于,包括:一第一层位于一衬底上,且该第一层是CuIn1‑xGaxSe2,其中0<x≤1;一第二层位于该第一层上,且该第二层是CuInSe2;一第三层位于该第二层上,且该第三层是CuzSe,其中0<z≤2;一第四层位于该第三层上,且该第四层是CuInSe2;以及一第五层位于该第四层上,且该第五层是CuIn1‑x’Gax’(Se1‑ySy)2,其中0<x’≤1,且0≤y<1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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