[发明专利]一种短时与长时存储器件及存储方法有效
| 申请号： | 201310015283.2 | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103117087A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;李祎;钟应鹏;许磊;孙华军;徐小华 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于信息存储器件领域，提供了一种短时与长时存储器件及存储方法；该存储器件包括第一电极层、功能材料层和第二电极层；第一电极层的材料为惰性导电金属，第二电极层的材料为活泼导电金属，功能材料层的材料为硫系化合物；在单个第一写信号或多个具有第一间隔时间的第一写脉冲作用下，存储器件从高阻态转换到易失性低阻态，存储信息能维持一段较短时间；在单个第二写脉冲或多个具有第二间隔时间的第一写脉冲作用下，存储器件从高阻态或易失性低阻态切换到非易失性低阻态，存储信息能维持很长一段时间。可以实现生物短时记忆和长时记忆的功能模拟，将重要数据长期稳定存储，将不重要数据主动遗忘删除，从功能上提高存储效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种短时与长时存储器件，其特征在于，包括第一电极层、与所述第一电极层连接的功能材料层，与所述功能材料层连接的第二电极层；所述第一电极层的材料为惰性导电金属，所述第二电极层的材料为活泼导电金属，所述功能材料层的材料为硫系化合物。
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