[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，与现有技术相比较，本发明的制造方法增加了在衬底表面形成与该衬底同种材料的填充层，以消除了现有技术的浅沟槽隔离结构周围的沟道区域的拐角区域，使该沟道区域表面平整，从而消除了hump效应，解决了由hump效应引发的器件工作特性稳定性降低的问题；同时本发明制备工艺成熟，并与半导体工艺相兼容，易于实施。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在衬底上生长衬垫氧化层，而后沉积硬掩膜层；2)涂布光刻胶以及曝光显影，接着刻蚀所述硬掩膜层、衬垫氧化层及衬底，在所述衬底上形成沟槽并去除光刻胶；3)在所述沟槽内热生长氧化层填充所述沟槽至所述硬掩膜层表面；4)去除所述步骤3)形成的结构中的所述衬垫氧化层及硬掩膜层，而后对所述氧化层两侧进行湿法刻蚀直至暴露出部分所述沟槽的侧壁，且使所述氧化层侧壁形成腰形凹陷；5)在所述步骤4)获得结构的衬底表面形成与该衬底同种材料的填充层以填平所述沟槽及氧化层侧壁的腰形凹陷，其中，在所述填充层形成过程中进行掺杂处理，以形成应力沟道区域，而后进行化学机械抛光，此时形成于衬底中的氧化层构成浅沟槽隔离结构，以消除hump效应。