[发明专利]一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310014013.X 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103094390A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 武春方;侯登录;徐岩峰;马丽;甄聪棉 申请(专利权)人: 河北师范大学
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/0232;G02B5/08;H01L31/18
代理公司: 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 代理人: 董金国
地址: 050024 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器,由两种结构不同的光子晶体叠加构成,其结构为[A/B]mAE[C/D]nC,其中A、B、C、D、E的厚度分别为d1=50nm,d2=100nm,d3=70nm,d4=140nm,d5=120nm,m、n为两种光子晶体的周期数,m取3,n取4。其制备方法是:RF-PECVD法在普通载玻片上交替沉积a-Si:H和a-C薄膜。本发明的碳基光子晶体背反射器,具有一维光子晶体全角反射,可实现600—1300nm光波段平均75%的反射率,增加光波在太阳能电池吸收层中的传播光程,提高光子利用效率,增加光电流密度和光电转换效率。制备工艺简单。
搜索关键词: 一种 用于 薄膜 太阳能电池 光子 晶体 反射 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器,其特征在于由结构为[A/B]m A和[C/D]n C的两种光子晶体叠加构成,两种光子晶体之间有一缓冲层E,反射器的结构为[A/B]m A E[C/D]n C,其中:第一光子晶体[A/B]m A中,材料A的折射率为3.83,材料B的折射率为1.8,光子晶体的晶格常数d=150nm,单个周期内A的厚度d1=50nm,B的厚度d2=100nm,周期数m取3;第二光子晶体[C/D]n C中,材料C的折射率为3.83,材料D的折射率为1.8,光子晶体的晶格常数d=210nm,单个周期内C的厚度d3=70nm, D的厚度d4=140nm,周期数n取4;缓冲层E的折射率为1.8,厚度为d5=120nm。
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