[发明专利]一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器，其特征在于由结构为[A/B]_m A和[C/D]_n C的两种光子晶体叠加构成，两种光子晶体之间有一缓冲层E，反射器的结构为[A/B]_m A E[C/D]_n C，其中：

第一光子晶体[A/B]_m A中，材料A的折射率为3.83，材料B的折射率为1.8，光子晶体的晶格常数d=150nm，单个周期内A的厚度d₁=50nm，B的厚度d₂=100nm，周期数m取3；

第二光子晶体[C/D]_n C中，材料C的折射率为3.83，材料D的折射率为1.8，光子晶体的晶格常数d=210nm，单个周期内C的厚度d₃=70nm， D的厚度d₄=140nm，周期数n取4；

缓冲层E的折射率为1.8，厚度为d₅=120nm。

2.根据权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器，其特征是构造所述碳基光子晶体背反射器的介电材料A和C是a-Si:H，B、D和E是a-C。

3.根据权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器，其特征是所述碳基光子晶体背反射器的工作波长范围为600nm~1300nm。

4.一种制备如权利要求1所述用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器的方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）制备P2：利用射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备P2，在普通载玻片上沉积一层设计厚度的介电材料C，按以上方法再交替沉积n个周期的[C/D]；

（2）制备缓冲层E：在步骤（1）所制备P2的基础上沉积一层设计厚度的介电材料E；

（3）制备P1：在以上基础上沉积一层设计厚度的介电材料A，然后再交替沉积m个周期的[A/B]。