[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中，晶体管包括：第二衬底；位于第二衬底上的第二氧化层；位于第二氧化层上的背栅，所述背栅中形成有开口；位于开口底部的第一氧化层，所述第一氧化层的上表面低于所述开口两侧背栅的上表面；位于所述开口两侧背栅上的第四氧化层；位于第一氧化层上且由开口侧壁向中心依次设置的背栅介质层、有源区和顶栅介质层；位于背栅介质层、有源区和顶栅介质层顶部的侧墙，所述侧墙的上表面高于所述第四氧化层；位于顶栅介质层之间的第一氧化层以及侧墙和部分第四氧化层上的顶栅。本发明所提供的晶体管布局紧凑，单个晶体管的尺寸较小。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底由下至上依次包括第二衬底、第二氧化层、第一多晶硅层、第一氧化层和第一衬底；在所述第一衬底上形成掩膜层，并在所述掩膜层的侧壁上形成侧墙；以所述掩膜层以及掩膜层侧壁上的侧墙为掩模，对第一衬底以及第一氧化层进行刻蚀，至暴露出第一多晶硅层；进行第一氧化工艺，形成覆盖侧墙下方第一衬底侧壁的背栅介质层；在侧墙两侧第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层的上表面低于所述掩膜层的上表面；进行第二氧化工艺，在第二多晶硅层表面形成第四氧化层，并形成包括第一多晶硅层和位于第四氧化层下方第二多晶硅层的背栅；以第四氧化层和侧墙为掩模，去除所述掩膜层以及掩膜层下方的第一衬底，至暴露出所述第一氧化层，形成凹槽；进行第三氧化工艺，形成覆盖凹槽侧壁上第一衬底的顶栅介质层以及位于背栅介质层与顶栅介质层之间第一氧化层上的有源区；在所述顶栅介质层之间的第一氧化层、侧墙以及侧墙两侧部分第四氧化层上形成顶栅。