[发明专利]具有PMOS存取晶体管的存储器电路有效
| 申请号： | 201310011520.8 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208307B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | J·刘;I·拉希姆;Y·徐;A·L·李 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有PMOS存取晶体管的存储器电路。描述了一种存储器电路，其包括存储器存储单元和耦合至该存储器存储单元的存取晶体管，其中存取晶体管包括PMOS晶体管。在一种实现方式中，存储器电路进一步包括耦合至所述存储器存储单元的偏压钳位晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 pmos 存取 晶体管 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器电路，其包括：存储器存储单元；和耦合至所述存储器存储单元的第一存取晶体管，其中所述第一存取晶体管是p沟道金属氧化物半导体即PMOS晶体管。
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