[发明专利]一种E波段多芯片集成倍频模块

摘要

本发明公开了一种E波段多芯片集成倍频模块，包括金属上基座、金属下基座和倍频电路，所述金属上基座和金属下基座拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头，所述输出端为标准波导法兰结构。本发明提供的E波段多芯片集成倍频模块，具有结构紧凑、集成度高等优点，同时采用标准SMA接头和标准波导法兰结构能够易于外接各类测试线缆及测试设备；且成本低、一致性好、便于规模制造。

主权项

一种E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：包括金属上基座（11）、金属下基座（12）和倍频电路，所述金属上基座（11）和金属下基座（12）拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头（1），所述输出端为标准波导法兰结构（100），且输入端和输出端分别设置在金属上基座（11）和金属下基座（12）拼合后形成结构的两个侧面。