[发明专利]一种E波段多芯片集成倍频模块

权利要求书

1.一种E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：包括金属上基座（11）、金属下基座（12）和倍频电路，所述金属上基座（11）和金属下基座（12）拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头（1），所述输出端为标准波导法兰结构（100），且输入端和输出端分别设置在金属上基座（11）和金属下基座（12）拼合后形成结构的两个侧面。

2.根据权利要求1所述的E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：所述第一级倍频及滤波结构包括倍频芯片A（3）和带通滤波电路（4），所述第二级倍频放大结构包括倍频芯片B（5）和放大芯片（6），所述第三级输出微带波导过渡结构包括扇形微带波导过渡电路（7）、降高波导电路（81）和标准波导电路（82）；所述倍频电路中所有使用的芯片均为毫米波砷化镓芯片，且各芯片和/或电路之间通过金丝键合实现电气连接。

3.根据权利要求1所述的E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：所述倍频通道的容腔的底部设置有直流电源板（110），所述第一级倍频及滤波结构包括倍频芯片A（3）和带通滤波电路（4）；所述倍频芯片A（3）的输入端通过第一键合金丝A（31）与微带传输线（2）电气连接、输出端通过第二键合金丝A（32）与带通滤波电路（4）电气连接、直流端通过第三键合金丝A（33）与芯片电容A（34）电气连接；所述芯片电容A（34）通过第四键合金丝A（35）与直流偏置电路A（36）电气连接，直流偏置电路A（36）通过第五键合金丝A（37）与直流绝缘子A（38）电气连接，直流绝缘子A（38）与直流电源板（110）直通；所述微带传输线（2）与输入端电气连接。

4.根据权利要求3所述的E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：所述芯片电容A（34）、直流绝缘子A（38）和带通滤波电路（4）均设置在倍频芯片A（3）的上侧。

5.根据权利要求1所述的E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：所述倍频通道的容腔的底部设置有直流电源板（110），所述第二级倍频放大结构包括倍频芯片B（5）和放大芯片（6），所述倍频芯片B（5）的输入端通过第一键合金丝B（51）与第一级倍频及滤波结构电气连接、输出端通过第二键合金丝B（52）与放大芯片（6）的输入端电气连接，放大芯片（6）的输出端通过第三键合金丝B（61）与第三级输出微带波导过渡结构电气连接；所述放大芯片（6）一侧的直流端分别通过第四键合金丝B1（62）和第五键合金丝B1（63）与第一芯片电容B1（64）和第二芯片电容B1（65）电气连接，所述第一芯片电容B1（64）和第二芯片电容B1（65）分别通过第六键合金丝B1（66）和第七键合金丝B1（67）与直流偏置电路B1（68）电气连接，所述直流偏置电路B1（68）分别通过第八键合金丝B1（691）和第九键合金丝B1（692）与第一直流绝缘子B1（693）和第二直流绝缘子B1（694）电气连接，所述第一直流绝缘子B1（693）和第二直流绝缘子B1（694）与直流电源板（110）直通；所述放大芯片（6）另一侧的直流端分别通过第四键合金丝B2和第五键合金丝B2与第一芯片电容B2和第二芯片电容B2电气连接，所述第一芯片电容B2和第二芯片电容B2分别通过第六键合金丝B2和第七键合金丝B2与直流偏置电路B2电气连接，所述直流偏置电路B2分别通过第八键合金丝B2和第九键合金丝B2与第一直流绝缘子B2和第二直流绝缘子B2电气连接，所述第一直流绝缘子B2和第二直流绝缘子B2与直流电源板（110）直通。

6.根据权利要求1所述的E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：所述第三级输出微带波导过渡结构包括扇形微带波导过渡电路（7）、降高波导电路（81）和标准波导电路（82），其中降高波导电路（81）和标准波导电路（82）构成输出波导结构，且扇形微带波导过渡电路（7）具有宽度特性。

7.根据权利要求1所述的E波段多芯片集成倍频模块，其特征在于：所述金属上基座（11）和金属下基座（12）通过第一定位销（91）和第二定位销（92）拼合。