[发明专利]深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法有效
| 申请号： | 201310008959.5 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103065943A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 章安娜;李晓明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法，包括：获取刻蚀关键尺寸差值；根据刻蚀位置距离晶圆中心位置的距离和所述刻蚀关键尺寸差值对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿；按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。本发明通过以关键尺寸差值的1/2作为补偿值对掩蔽层版图的刻蚀图案尺寸进行补偿，改善由于深沟槽刻蚀工艺中晶圆不同位置关键尺寸分布不均导致的刻蚀速率和刻蚀尺寸差异，大大提高了深沟槽刻蚀结构的关键尺寸均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 刻蚀 工艺 关键 尺寸 补偿 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法，包括：获取在深沟槽刻蚀工艺后晶圆中心位置与晶圆边缘位置的刻蚀关键尺寸差值；根据刻蚀位置距离晶圆中心位置的距离和所述刻蚀关键尺寸差值对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿，使得所述掩蔽层版图露出的刻蚀图案尺寸在晶圆半径方向上由中心到边缘逐渐减小，且所述掩蔽层版图在晶圆边缘位置露出的刻蚀图案尺寸比在晶圆中心位置露出的刻蚀图案尺寸小所述刻蚀关键尺寸差值的二分之一；按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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