[发明专利]晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201310008669.0 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103219465A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·泰斯莱;莫迪·马格利特;奥代德·格洛伯曼;罗伊·谢哈尔 | 申请（专利权）人： | 技术研究及发展基金有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;迟姗 |
| 地址： | 以色*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明提出一种晶体管结构及其制造方法，其中提供一种晶体管器件，例如薄膜晶体管。该器件包括与电子器件的有源元件相关的图案化导电层。该导电层具有限定间隔导电区阵列的图案。该技术能增加通过器件的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括不同导电层中的源电极和漏电极、所述导电层之间的沟道层和绝缘体结构上的栅电极，该绝缘体结构附着到源电极或漏电极中的一个，以及绝缘体使该栅电极与所述源电极与漏电极中的一个分隔，其中：所述源电极与漏电极中的一个是图案化的，图案是间隔开的穿孔的形式，使得每个穿孔被电极层材料包围，由此提供电极层内不连续的电导性；以及源电极层和沟道的材料组成选择为用以产生电荷注入沟道中的势垒，由此抑制电荷从源电极向漏电极的直接注入。
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H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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