[发明专利]一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法无效
| 申请号： | 201310004308.9 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103290482A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 邓树军;陶莹;高宇;赵梅玉;段聪 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 北京市昌平区沙*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法，包括：使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶晶体，消除晶体内部应力，本发明消除应力的时间短，提高了碳化硅片产品的良率，方便工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 直径 碳化硅 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法，其特征在于，包括：方法1：将碳化硅单晶晶体置于介质环境中，使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶晶体1～10小时；方法2：将碳化硅单晶晶体置于密闭的介质环境中，使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶晶体1～10小时；方法3：碳化硅单晶晶体在晶体生长室中生长完成后，向晶体生长室中充入稀有气体至1个大气压，调节晶体的温度，在晶体生长室中使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶晶体1～10小时；方法4：碳化硅单晶晶体在晶体生长室中生长完成后，向晶体生长室中充入稀有气体至1个大气压，在晶体生长室中使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶晶体1～10小时；其中，方法1和方法2中所述介质为平面基台、空气、液体或固体粉末。
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