[发明专利]一种射频LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310003606.6 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103050541A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区。在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。本申请还公开了其制造方法。由于在沟道下方、漏端下方分别增加了第一阱和第二阱，本申请可以提高副阻效应发生时的漏端触发电压，以获取高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区；其特征是，在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310003606.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
