[发明专利]宽带成像仪有效
申请号: | 201310002216.7 | 申请日: | 2013-01-04 |
公开(公告)号: | CN103236433A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | D·科恩;G·叶海弗 | 申请(专利权)人: | 微软公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨洁 |
地址: | 美国华*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了能够对IR和可见光这二者进行成像的宽带成像仪。在一个实施例中,IR像素的IR敏感区域位于R、G和B可见像素的R、G、B敏感区域之下。因此,IR像素通过R、G和B像素通过其接收可见光的光电传感器的同一表面区域来接收IR光。然而,IR光在RGB像素与IR像素共享的公共表面区域之下比可见光更深处生成电子-空穴对。光电传感器还具有用于积累在IR敏感区域中生成的电荷的电荷累积区域,以及位于电荷累积区域之上、用于提供电压以积累在IR像素中生成的电荷的电极。 | ||
搜索关键词: | 宽带 成像 | ||
【主权项】:
一种半导体光电传感器,包括:至少一个可见光像素(331、332、333),所述可见光像素在对可见光敏感的衬底中具有至少一个区域(341、342、343);红外IR像素,所述IR像素在对IR光敏感的所述衬底中具有区域(350),所述IR敏感区域位于所述至少一个可见光敏感区域之下;电荷累积区域(325),用于积累在所述IR敏感区域中生成的电荷;以及电极(354),所述电极位于所述电荷累积区域之上,用于提供电压以积累在所述IR敏感区域中生成的所述电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的