[发明专利]在发光装置芯片的晶片上形成磷光体层的方法在审
| 申请号： | 201310002101.8 | 申请日： | 2013-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103208579A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 林宅基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过利用晶片级模具形成发光装置芯片的晶片的磷光体层的方法，所述方法包括：在下模具和上模具之间夹紧具有多个发光装置芯片的晶片以在晶片和上模具之间形成空间；通过将磷光体液体注入到所述空间内在晶片上形成磷光体层；以及使晶片从上模具和下模具脱模。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 芯片 晶片 形成 磷光体 方法 | ||
【主权项】：
一种形成发光装置芯片的晶片的磷光体层的方法，所述方法包括下述步骤：在下模具和上模具之间夹紧具有多个发光装置芯片的晶片以在晶片和上模具之间形成空间；通过将磷光体液体注入到所述空间内在晶片上形成磷光体层；以及使晶片与上模具和下模具分离。
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