[发明专利]薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备

摘要

本公开提供薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备。薄膜晶体管包括栅极电极、源极电极和漏极电极；氧化物半导体层，设置在栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对源极电极和漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到源极电极和漏极电极；以及低电阻氧化物层，设置在面对源极电极的区域中以及面对漏极电极的区域中，该面对源极电极的区域和该面对漏极电极的区域相邻于氧化物半导体层，并且低电阻氧化物层的电阻率低于氧化物半导体层的电阻率。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：栅极电极、源极电极和漏极电极；氧化物半导体层，设置在该栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对该源极电极和该漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到该源极电极和该漏极电极；以及低电阻氧化物层，设置在面对该源极电极的区域中以及面对该漏极电极的区域中且相邻于该氧化物半导体层，该低电阻氧化物层的电阻率低于该氧化物半导体层的电阻率，该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层设置在该栅极电极上，在该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层与该栅极电极之间具有该绝缘膜，并且该源极电极和该漏极电极设置在该低电阻氧化物层上，该绝缘膜具有位于配线层上的过孔，该配线层与该栅极电极设置在相同的层中，并且该低电阻氧化物层的一部分覆盖该过孔的内侧。