[发明专利]薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅极电极、源极电极和漏极电极；

氧化物半导体层，设置在该栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对该源极电极和该漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到该源极电极和该漏极电极；以及

低电阻氧化物层，设置在面对该源极电极的区域中以及面对该漏极电极的区域中且相邻于该氧化物半导体层，该低电阻氧化物层的电阻率低于该氧化物半导体层的电阻率，

该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层设置在该栅极电极上，在该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层与该栅极电极之间具有该绝缘膜，并且

该源极电极和该漏极电极设置在该低电阻氧化物层上，

该绝缘膜具有位于配线层上的过孔，该配线层与该栅极电极设置在相同的层中，并且

该低电阻氧化物层的一部分覆盖该过孔的内侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层由相同的氧化物材料形成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中

该低电阻氧化物层处于非晶状态，并且

该氧化物半导体层处于结晶化状态。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该氧化物材料耐受图案化该源极电极和该漏极电极时使用的化学溶液。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该源极电极或该漏极电极设置在该过孔上并电连接到该配线层，在该源极电极或该漏极电极与该过孔之间具有该低电阻氧化物层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括保护膜，该保护膜覆盖该氧化物半导体层、该源极电极和该漏极电极。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中该保护膜由氧化硅和氧化铝中的一种形成。

8.一种具有薄膜晶体管的显示器，该薄膜晶体管包括：

栅极电极、源极电极和漏极电极；

氧化物半导体层，设置在该栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对该源极电极和该漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到该源极电极和该漏极电极；以及

低电阻氧化物层，设置在面对该源极电极的区域中以及面对该漏极电极的区域中且相邻于该氧化物半导体层，该低电阻氧化物层的电阻率低于该氧化物半导体层的电阻率，

该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层设置在该栅极电极上，在该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层与该栅极电极之间具有该绝缘膜，并且

该源极电极和该漏极电极设置在该低电阻氧化物层上，

该绝缘膜具有位于配线层上的过孔，该配线层与该栅极电极设置在相同的层中，并且

该低电阻氧化物层的一部分覆盖该过孔的内侧。

9.一种具有显示器的电子设备，该显示器设置有薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

栅极电极、源极电极和漏极电极；

氧化物半导体层，设置在该栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对该源极电极和该漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到该源极电极和该漏极电极；以及

低电阻氧化物层，设置在面对该源极电极的区域中以及面对该漏极电极的区域中且相邻于该氧化物半导体层，该低电阻氧化物层的电阻率低于该氧化物半导体层的电阻率，

该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层设置在该栅极电极上，在该氧化物半导体层和该低电阻氧化物层与该栅极电极之间具有该绝缘膜，并且

该源极电极和该漏极电极设置在该低电阻氧化物层上，

该绝缘膜具有位于配线层上的过孔，该配线层与该栅极电极设置在相同的层中，并且

该低电阻氧化物层的一部分覆盖该过孔的内侧。