[发明专利]化学机械抛光设备

摘要

本发明提供一种化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)设备，包括安装成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫置于该平台上；连接器，其在垂直于摆动单元的方向的一端安装在摆动单元的上端，且在CMP垫上方绕摆动单元枢轴旋转；旋转体，其可转动地安装在连接器的另一端上；CMP垫调节器，其与旋转体联接并在被转动时调节CMP垫；及振动计，其安装在连接器上，并且检测振动以测量CMP垫调节器的振动加速度，由此基于振动加速度及CMP垫调节器被安装或正在使用的状态来预测CMP垫的损耗率。

主权项

一种化学机械抛光(CMP)设备，其测量CMP垫调节器的振动加速，所述CMP垫调节器调节CMP垫，所述化学机械抛光设备包括：振动计，其检测振动以测量所述CMP垫调节器的振动加速度；控制器，当由所述振动计测得的所述振动加速度处于预先储存的振动加速度的范围之外时，所述控制器产生针对所述CMP设备的检查信号或针对所述CMP垫调节器的更换信号，其中，当产生检查信号时，所述控制器调节并检查影响振动加速度的处理条件从而使所测得的振动加速度处于事先储存的振动加速度的范围内，所述处理条件包括：所述CMP垫调节器的负载、施加负载至所述CMP垫调节器的方法、所述CMP垫调节器被安装时旋转体的容限以及所述振动计被安装的位置，并且当所测得的调节处理条件后的振动加速度偏离事先储存的振动加速度范围时，所述控制器产生更换信号。