[发明专利]烷基卤代硅烷的直接合成方法

摘要

本发明涉及用于直接合成烷基卤代硅烷的工业方法的改进。更具体地，本发明涉及通过在流化床反应器中烷基卤且优选CH₃Cl与由粉末硅和催化体系形成的所谓接触物料的固体物料反应来制备烷基卤代硅烷的方法，该催化体系包含至少一种铜基催化剂以及助催化剂添加剂β1和β2。

主权项

通过在流化床反应器中烷基卤且优选CH₃Cl与由粉末硅和催化体系形成的所谓接触物料的固体物料反应来制备烷基卤代硅烷的方法，该催化体系包含至少一种铜基催化剂以及助催化剂添加剂β1和β2，所述方法的特征在于：a)引入第一硅Si1，其具有铝含量为0.10‑0.18％重量，钙含量为小于0.2％重量，并且磷含量为小于50ppm重量，然后b)引入第二硅Si2，其单独地或者任选地以与Si1的混合物的形式，具有铝含量为0.10‑0.15％重量，钙含量为小于0.2％重量并且磷含量为50‑250ppm重量。