[发明专利]钝化结晶硅太阳能电池的先进平台无效

专利信息
申请号: 201280065730.9 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN104040732A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: H·K·波内坎蒂;A·S·波利亚克;J·莱厄罗伊斯;M·S·考克斯;C·T·莱恩;E·P·哈蒙德四世;H·P·穆格卡;S·施莱弗;W·布施贝克;J·亨里希;A·洛珀 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0216
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡林岭
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明大体提供一种用于形成太阳能电池装置的一或更多个区域的高产出基板处理系统。在处理系统的一个配置中,于包含在高产出基板处理系统内的一或更多个处理腔室内沉积并进一步处理一或更多个太阳能电池钝化层或介电层。处理腔室可为(例如)等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)腔室、低压化学气相沉积(LPCVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室、物理气相沉积(PVD)或溅镀腔室、热处理腔室(例如,RTA或RTO腔室)、基板重定向腔室(例如,翻转(flip)腔室)及/或其他类似的处理腔室。
搜索关键词: 钝化 结晶 太阳能电池 先进 平台
【主权项】:
一种太阳能电池处理系统,该太阳能电池处理系统包含:基板自动化系统,该基板自动化系统具有经配置以在第一方向上移送基板顺次穿过处理区域的一或更多个输送机,其中该处理区域维持在低于大气压力的压力下;第一处理腔室,该第一处理腔室具有设置在该处理区域中的两个或两个以上第一沉积源,其中每一第一沉积源经配置以在该等基板相对于该两个或两个以上第一沉积源被移送穿过该处理区域时将处理气体单独地输送至该等基板的每一者的表面;及第二处理腔室,该第二处理腔室具有设置在该处理区域中的两个或两个以上第一沉积源,其中每一第二沉积源经配置以在该等基板相对于该两个或两个以上第二沉积源被移送穿过该处理区域时将处理气体单独地输送至该等基板的每一者的该表面。
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