[发明专利]纳米线场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280065693.1 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104025270A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | S·邦萨伦提普;G·科恩;A·马宗达;J·W·斯雷特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括在衬底之上形成纳米线，在所述纳米线的一部分的周围形成衬里材料，在所述衬里材料上形成盖帽层，邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物，在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层，去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由栅极材料限定的第一腔，在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料，去除所述硬掩模层和所述盖帽层，在所述第一腔中的外延生长的所述半导体材料的周围形成第二盖帽层以限定沟道区，以及形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成纳米线；在所述纳米线的一部分周围形成衬里材料；在所述衬里材料上形成盖帽层；邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物；在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层；去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由栅极材料限定的第一腔；在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料；去除所述硬掩模层和所述盖帽层；在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料的周围形成第二盖帽层以限定沟道区；以及形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
