[发明专利]纳米线场效应晶体管

权利要求书

1.一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成纳米线；

在所述纳米线的一部分周围形成衬里材料；

在所述衬里材料上形成盖帽层；

邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物；

在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层；

去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由栅极材料限定的第一腔；

在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料；

去除所述硬掩模层和所述盖帽层；

在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料的周围形成第二盖帽层以限定沟道区；以及

形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括：

去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由所述衬里材料限定的第二腔；

在所述第二腔中所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料。

3.根据权利要求2的方法，其中，在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料与在所述第二腔中外延生长的所述半导体材料不同。

4.根据权利要求2的方法，其中，在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料和在所述第二腔中外延生长的所述半导体材料被同时生长。

5.根据权利要求2的方法，其中，在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料和在所述第二腔中外延生长的所述半导体材料的周围形成所述第二盖帽层。

6.根据权利要求1的方法，进一步包括在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料的一部分的周围形成第三盖帽层。

7.根据权利要1的方法，进一步包括在所述纳米线周围形成第三盖帽层。

8.根据权利要求1的方法，进一步包括形成与所述第二盖帽层邻近的间隔物材料。

9.根据权利要求1的方法，其中，所述衬底包括掩埋氧化物层。

10.根据权利要求1的方法，其中，所述衬里材料包括栅极材料。

11.根据权利要求1的方法，其中，所述衬里材料为栅极结构。

12.一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成纳米线；

在纳米线的一部分周围形成衬里材料；

在所述衬里材料上形成盖帽层；

邻近所述盖帽层的侧壁并在所述纳米线的部分的周围形成第一间隔物；

在所述盖帽层和所述第一间隔物上形成硬掩模层；

去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由栅极材料限定的第一腔；

在所述第一腔中的所述纳米线的暴露截面上外延生长半导体材料；

去除所述硬掩模层和所述盖帽层的部分以限定沟道区；以及

形成与所述沟道区相接触的源极区和漏极区。

13.根据权利要求12的方法，进一步包括：

去除所述纳米线的暴露部分以形成部分地由所述衬里材料限定的第二腔；

在所述第二腔中的所述纳米线的所述暴露截面上外延生长半导体材料。

14.根据权利要求13的方法，其中，在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料与在所述第二腔中外延生长的所述半导体材料不同。

15.根据权利要求13的方法，其中，在所述第一腔中外延生长的所述半导体材料和在所述第二腔中外延生长的所述半导体材料被同时生长。

16.根据权利要求12的方法，进一步包括形成与所述盖帽层邻近的间隔物材料。

17.根据权利要求12的方法，其中，所述衬底包括掩埋氧化物层。

18.根据权利要求12的方法，其中所述衬里材料包括栅极材料。

19.根据权利要求12的方法，其中，所述衬里材料为栅极结构。

20.一种场效应晶体管(FET)器件，所述器件包括：

第一FET，包括：

包括第一外延生长材料的一部分和第二外延生长材料的一部分的第一纳米线沟道区；

围绕所述第一纳米线沟道区的第一栅极结构；以及

设置在所述栅极结构周围的第一盖帽层。