[发明专利]低电压、低功率带隙电路有效
申请号: | 201280065656.0 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN104067192A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | H.V.特兰;A.利;T.吴;H.Q.阮 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术公司 |
主分类号: | G05F1/10 | 分类号: | G05F1/10;G05F3/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;胡莉莉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于生成带隙电压的带隙电压生成电路带有具有两个输入和输出的运算放大器。电流镜电路具有至少两个并联电路路径。电流路径中的每个被来自运算放大器的输出控制。电流路径中的一个被耦合至到运算放大器的两个输入中的一个。电阻器除法电路被连接到另一电流路径。电阻器除法电路提供电路的带隙电压。 | ||
搜索关键词: | 电压 功率 电路 | ||
【主权项】:
一种用于生成带隙电压的带隙电压生成电路,所述电路包括:运算放大器,具有两个输入和输出;电流镜电路,具有至少两个并联电流路径;所述电流路径中的每一个由来自所述运算放大器的所述输出控制;所述电流路径中的一个被耦合至到运算放大器的所述两个输入中的一个;以及电阻器除法电路,被连接到所述另一电流路径,所述电阻器除法电路提供所述带隙电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术公司,未经硅存储技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280065656.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高准确度正余弦波及频率产生器及相关系统及方法
- 下一篇:数据设定装置