[发明专利]带有保护膜形成层的切割片及芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201280064500.0 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104040696A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 篠田智则;高野健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B32B27/00;C09J7/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;刘明海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有保护膜形成层的切割片，其可以简便地制造具有均一性高、打印精度优异的保护膜的半导体芯片，可以容易地进行保护膜与基材薄膜之间的剥离，并且划片时的芯片的固定能力优异。本发明涉及的带有保护膜形成层的切割片的特征在于，在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 保护膜 形成层 切割 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带有保护膜形成层的切割片，其中，其在由基材薄膜和胶粘剂层构成的粘合片的胶粘剂层上，隔着剥离力调整层具有保护膜形成层，在粘合片的内周部，具有剥离力调整层与保护膜形成层的层叠体，在粘合片的外周部露出胶粘剂层，剥离力调整层与将保护膜形成层固化而得的保护膜之间的剥离力为0.05～5N/25mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
