[发明专利]多晶硅棒和用于生产多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201280063457.6 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104010969A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 米哈伊尔·索芬;埃里克·多恩贝格尔;赖纳·佩什 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及包含具有0.01至20mm厚度的由多晶硅制成的外层的多晶硅棒。所述外层包含具有大于20μm的平均尺寸的微晶。本发明进一步涉及通过将包括含有硅的组分并且包含氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，由此，以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，在第二步骤的沉积中棒的温度相对于第一步骤升高至少50℃，在第二步骤的沉积中反应气体中含硅组分的浓度是5mol％或更小并且含硅组分的供应是每1m2棒表面为0.25mol或更少。本发明进一步涉及通过将包括含有硅的组分并且包含氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，由此，以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，在沉积结束之后，在棒状多晶硅周围流动无污染气体并且棒状多晶硅用由塑料制成的袋覆盖并且从反应器移开。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅棒，包括具有0.01至20mm厚度的多晶硅的外层，其中，所述外层包括具有大于20μm的平均尺寸的微晶。
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