[发明专利]具有高透光率的导电制品有效
| 申请号： | 201280062708.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104321830B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | R·迪维加尔皮蒂雅;M·J·佩勒莱特;J·P·贝佐尔德;G·A·科尔巴;M·H·马祖雷克 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈文平,陈长会 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电制品，其包括透明基底、薄导电栅格和碳纳米层。所述栅格设置在所述基底上，并且所述碳纳米层也设置在所述基底上并且与所述栅格接触。所述导电栅格和所述碳纳米层可分别具有不超过1微米和50纳米的厚度。所述碳纳米层具有包括嵌入在纳米晶碳中的石墨小片的形态，并且能够通过使用干燥碳粒且不显著损害所述栅格结构的抛光工序来制备。所述制品可具有至少80％的可见光透射率和小于500或100欧姆/平方的薄层电阻。所述透明基底可包括柔性聚合物膜。本发明所公开的制品可在经受挠曲时基本上保持初始薄层电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 透光率 导电 制品 | ||
【主权项】：
一种透明导电制品，包括：透明基底；和设置在所述基底上的导电栅格，其中所述栅格具有不超过1微米的厚度；和设置在所述基底上并且与所述栅格接触的碳纳米层，所述碳纳米层具有不超过50纳米的厚度；其中所述碳纳米层具有包括嵌入在纳米晶碳中的石墨小片的形态；其中所述制品为柔性的，其中所述碳纳米层和所述栅格为所述制品提供薄层电阻，并且其中在使所述制品经受由1cm的弯曲直径所表征的挠曲时，在60秒的所述挠曲之后，所述薄层电阻未增加超过所述薄层电阻的初始值的两倍。
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