[发明专利]大型相移掩膜及大型相移掩膜的制造方法

摘要

本发明提供一种在用于液晶面板或EL面板的制造的大型光掩膜中，适合形成微细图案的半透明相移掩膜的结构、及其制造方法。进而，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。

主权项

一种大型相移掩膜，其包括透明基板、及形成在上述透明基板上的半透明的半透明相移膜，包括露出了上述透明基板的透过区域、及在上述透明基板上仅设置有上述相移膜的半透明相移区域，且包括邻接地配置有上述透过区域与上述半透明相移区域的掩膜图案，且透过上述半透明相移区域的曝光光的相位相对于透过上述透过区域的曝光光的相位反转，在将上述透过区域的曝光光的透光率设为100％时，上述半透明相移区域的曝光光的透光率为4％至30％的范围的值，上述大型相移掩膜包括形成在上述透明基板上的遮光膜、及以覆盖上述遮光膜的方式形成的半透明的第2半透明相移膜，且包括配置有遮光区域及第2半透明相移区域的掩膜图案，该遮光区域层叠设置有上述遮光膜与上述第2半透明相移膜，该第2半透明相移区域设置在上述遮光区域与上述透过区域之间且仅设置有上述第2半透明相移膜，且透过上述第2半透明相移区域的曝光光的相位相对于透过上述透过区域的曝光光的相位反转，上述第2半透明相移区域的宽度处于0.25μm以上且3.5μm以下的范围内。