[发明专利]大型相移掩膜及大型相移掩膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280062178.8 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103998985B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 木下一树;飞田敦;二岛悟 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 大型 相移 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种大型相移掩膜,其包括透明基板、及形成在上述透明基板上的半透明的半透明相移膜,包括露出了上述透明基板的透过区域、及在上述透明基板上仅设置有上述相移膜的半透明相移区域,且包括邻接地配置有上述透过区域与上述半透明相移区域的掩膜图案,且透过上述半透明相移区域的曝光光的相位相对于透过上述透过区域的曝光光的相位反转,在将上述透过区域的曝光光的透光率设为100%时,上述半透明相移区域的曝光光的透光率为4%至30%的范围的值,

上述大型相移掩膜包括形成在上述透明基板上的遮光膜、及以覆盖上述遮光膜的方式形成的半透明的第2半透明相移膜,且包括配置有遮光区域及第2半透明相移区域的掩膜图案,该遮光区域层叠设置有上述遮光膜与上述第2半透明相移膜,该第2半透明相移区域设置在上述遮光区域与上述透过区域之间且仅设置有上述第2半透明相移膜,且透过上述第2半透明相移区域的曝光光的相位相对于透过上述透过区域的曝光光的相位反转,

上述第2半透明相移区域的宽度处于0.25μm以上且3.5μm以下的范围内。

2.如权利要求1所述的大型相移掩膜,其中,

包括在上述半透明相移区域的两侧邻接地配置有上述透过区域的图案,上述半透明相移区域的宽度为1μm至5μm的范围的宽度。

3.如权利要求1或2所述的大型相移掩膜,其中,

上述半透明相移膜为含有铬及铬化合物的单层或2层的结构。

4.如权利要求1或2所述的大型相移掩膜,其中,

上述半透明相移膜的厚度为0.1μm至0.14μm的范围的厚度。

5.一种大型相移掩膜的制造方法,其是权利要求1或2所述的大型相移掩膜的制造方法,包括以下步骤:

使用在透明基板上层叠了遮光膜的第2坯料,将上述遮光膜蚀刻为既定图案后,在上述透明基板的上述遮光膜侧的表面整个面形成以铬以及铬化合物为材料的半透明相移膜,从而准备坯料的步骤;

准备在上述坯料上涂布有感光性抗蚀剂而得到的带感光性抗蚀剂的坯料的步骤;及

利用描画装置将所需的图案曝光至上述带感光性抗蚀剂的坯料,进行显影后,进行湿式蚀刻,除去感光性抗蚀剂,而使上述半透明相移膜形成图案的步骤。

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