[发明专利]氮化硅干修整而没有顶部下拉有效
| 申请号： | 201280061627.7 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104040704B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 钟庆华;木村吉江;金·达沃;傅乾;格拉迪丝·洛;加内什·乌帕德亚雅;山口横 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于在衬底上形成具有硅栅极的器件的方法。氮化硅隔离层形成在所述硅栅极的侧面。利用所述氮化硅隔离层作为掩模进行离子注入以形成离子注入区。在所述隔离层和栅极之上选择性地沉积非共形层，其选择性地沉积比沉积在氮化硅隔离层的侧壁上的层较厚的层于所述栅极和所述隔离层的顶部以及于所述隔离层之间。蚀刻掉氮化硅隔离层的侧壁上的非共形层的侧壁。修整所述氮化硅隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 修整 没有 顶部 下拉 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底上形成具有硅栅极的器件的方法，其包括：在所述硅栅极的侧面形成氮化硅隔离层；利用所述氮化硅隔离层作为掩模进行离子注入以形成离子注入区；在所述隔离层和栅极之上选择性地沉积非共形层，其选择性地沉积比沉积在所述氮化硅隔离层的侧壁上的层较厚的层于所述栅极和隔离层的顶部以及于隔离层之间；刻蚀掉所述氮化硅隔离层的侧壁上的所述非共形层的侧壁；以及修整所述氮化硅隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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