[发明专利]导电性构件、处理盒和电子照相设备有效
申请号: | 201280060712.1 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN103975278B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 杉山辽;草场隆;漆原圣平;宇野真史 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/08 | 分类号: | G03G15/08;C08K3/04;C08L83/05;C08L83/07;G03G21/18 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
提供具有较少不均匀状态的残留电荷的导电性构件。该导电性构件设置有具有导电性表面的基材和设置在基材上的导电性弹性层。弹性层通过将包含下述组分(A)‑(D)的混合物固化而获得。(A)具有至少两个各自键合至硅原子的乙烯基的有机聚硅氧烷,(B)由以下化学结构式(1)表示的有机聚硅氧烷,(C)具有至少两个氢硅烷基的氢聚硅氧烷,(D)炭黑(化学结构式(1)中,l、m和n各自独立地表示正整数)。 |
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搜索关键词: | 导电性 构件 处理 电子 照相 设备 | ||
【主权项】:
一种导电性构件,其包括:具有导电性表面的基材;和设置在所述基材上的导电性弹性层,其特征在于,所述弹性层通过将包含以下组分(A)‑(D)的混合物固化而获得:(A)具有至少两个键合至硅原子的乙烯基的有机聚硅氧烷;(B)由以下化学结构式(1)表示的有机聚硅氧烷:
化学结构式(1)中的l、m和n各自独立地表示正整数;(C)具有至少两个氢硅烷基的氢聚硅氧烷;和(D)炭黑。
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