[发明专利]在再生长栅极上具有栅电极和源电极的垂直GaN JFET无效
| 申请号： | 201280060650.4 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103975438A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·R·迪斯尼;聂辉;伊舍克·C·克孜勒亚尔勒;理查德·J·布朗 | 申请（专利权）人： | 阿沃吉有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体结构，其包括具有第一表面和第二表面的GaN衬底。GaN衬底的特征在于第一导电性类型和第一掺杂剂浓度。第一电极电耦合到GaN衬底的第二表面。半导体结构还包括耦合到GaN衬底的第一表面的第一导电性类型的第一GaN外延层和耦合到第一GaN外延层的第二导电性类型的第二GaN层。第一GaN外延层包括沟道区。第二GaN外延层包括栅极区和边缘终端结构。耦合到栅极区的第二电极和耦合到沟道区的第三电极两者均设置在边缘终端结构内。 | ||
| 搜索关键词： | 再生 栅极 具有 电极 垂直 gan jfet | ||
【主权项】：
一种垂直功率器件，包括：具有上表面和相反的下表面的第III族氮化物衬底；耦合到所述上表面的具有第一导电性类型的第一第III族氮化物外延层；耦合到所述第一第III族氮化物层的具有第二导电性类型的第二第III族氮化物层；耦合到所述第一第III族氮化物层的第一电极；耦合到所述第二第III族氮化物层的第二电极；以及包围所述第一电极和所述第二电极的边缘终端结构。
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