[发明专利]复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201280060478.2 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103987678B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 仓持豪人;玉野公章;饭草仁志;秋池良;涉田见哲夫 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合氧化物烧结体10，其在将铟、锆及钇分别设定为In、Zr及Y时，以原子比计，Zr/(In+Zr+Y)为0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)为0.005～0.5at％。还提供一种由该复合氧化物烧结体10制成的溅射靶、及通过将该溅射靶进行溅射而得到的氧化物透明导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氧化物 烧结 溅射 以及 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合氧化物烧结体，其中，在将铟、锆及钇分别设定为In、Zr及Y时，以原子比计，Zr/(In+Zr+Y)为0.05～4.5at％，Y/(In+Zr+Y)为0.005～0.5at％，作为杂质，具有In、Zr、Y以外的金属元素的氧化物的总含量换算为金属元素，相对于In、Zr及Y的总量为1at％以下。
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