[发明专利]有机晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201280060467.4 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103999201A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 布濑晓志;齐藤美佐子;佐藤浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 有机晶体管的制造方法具备：在基板(1)上层叠形成基底绝缘层(3)的工序；在基底绝缘层(3)上形成源电极(5a)、漏电极(5b)的工序；覆盖源电极(5a)、漏电极(5b)并且与基底绝缘层(3)接触地层叠形成有机半导体层(7)的工序；在有机半导体层(7)上层叠形成栅绝缘层(9)的工序；在栅绝缘层(9)上形成栅电极(11)的工序；以及，在形成有机半导体层(7)之前，对于基底绝缘层(3)的与有机半导体层(7)接触的面进行表面处理的工序。表面处理按照下述方式进行：将使用与有机半导体层(7)相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为W1时，在进行过表面处理的基底绝缘层(3)上形成有机半导体层(7)时，基底绝缘层(3)与有机半导体层(7)之间的附着功W2满足W1≥W2的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机晶体管，其特征在于，具备：支撑体、在所述支撑体上层叠的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上层叠的有机半导体层、与所述有机半导体层部分地接触而设置的一对源电极和漏电极、在比所述有机半导体层靠上方的位置层叠的第二绝缘层、和在所述第二绝缘层上设置的栅电极；所述第一绝缘层的与所述有机半导体层接触的面进行过表面处理，所述表面处理为如下处理：将使用与所述有机半导体层相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为W1时，在进行过表面处理的作为基底的所述第一绝缘层上形成所述有机半导体层时，该第一绝缘层与所述有机半导体层之间的附着功W2满足W1≥W2的关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
