[发明专利]光隔离器无效
| 申请号： | 201280060030.0 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN104145209A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 矢作晃;渡边聪明;牧川新二 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B27/28 | 分类号： | G02B27/28 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种小型光隔离器，适合作为用于医疗、光学计测用等用途的半导体激光中使用的光隔离器。一种光隔离器，是用于320nm～633nm波长带，其特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，第1中空磁铁配置于法拉第转子的外周，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元是在光轴上夹着第1中空磁铁而配置，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元包含相对于光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。0.8×104≦B≦1.5×104 (1)，0.25≦L≦0.45 (2)。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离器 | ||
【主权项】：
一种光隔离器，其用于320nm～633nm波长带，上述光隔离器的特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，上述第1中空磁铁配置于上述法拉第转子的外周，上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元是在光轴上夹着上述第1中空磁铁而配置，上述第2中空磁铁单元及上述第3中空磁铁单元包含相对于上述光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对上述法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置上述法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。0.8×104≦B≦1.5×104 (1)0.25≦L≦0.45 (2)
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280060030.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
