[发明专利]光隔离器无效
申请号: | 201280060030.0 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN104145209A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 矢作晃;渡边聪明;牧川新二 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G02B27/28 | 分类号: | G02B27/28 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离器 | ||
技术领域
本发明涉及在320nm~633nm的波长带中使用的光隔离器(isolator)。
背景技术
以往,对于用于医疗、光学计测等用途的产业用激光(laser),是使用紫外线(Ultraviolet,UV)及可视区的半导体激光或者灯(lamp)激发式钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet,YAG)激光的第二谐波(532nm)、第三谐波(355nm)。
近年来,该半导体激光的波长用途亦变广,正在向高输出化发展。
然而,一般而言,半导体激光具备其发光光谱(spectrum)窄而转换效率优异的特征,但相反地,对于因反射光引起的回光非常敏感,当自对光纤(fiber)的结合端面或被测定物而来的反射光返回时,存在特性会成为不稳定状态的危险性。因而,为了防止反射光返回到作为发光光源的发光元件,以使半导体激光稳定动作,不可或缺的是要在发光光源与加工体之间,配置光隔离器(an optical isolator),以阻断自光纤向发光光源反射而返回的光,上述光隔离器具有使顺向的光透过而阻断逆向的光的功能。
此处,光隔离器包含法拉第(Faraday)转子、配置于法拉第转子的光入射侧及光出射侧的一对偏光元件、及对法拉第转子的光透过方向(光轴方向)施加磁场的磁铁(magnet)这3个主要零件。当于此形态下,光入射至法拉第转子时,会产生偏光面在法拉第转子中发生旋转的现象。这是被称作法拉第效应的现象,将偏光面旋转的角度称作法拉第旋转角,其大小θ以下述式来表示。
θ=V×H×L
上述式中,V是费尔德常数(Verdet's constant),是由法拉第转子的材料及测定波长决定的常数,H是磁通密度,L是法拉第转子的长度。由该式可知的是,在具备某固定大小的费尔德常数的转子中,若欲获得所需的法拉第旋转角而对法拉第转子施加的磁场越大,则越能缩短转子长度,转子长度越长,则越能减小磁通密度。
如专利文献1所记载的,作为于上述波长带中费尔德常数大的材料,有含Fe的钇铁石榴石(yttrium iron garnet,YIG)单晶体。
而且,作为其他材料,有铽-镓-石榴石(化学式:Tb3Ga5O12)等。而且,亦可使用含铅的玻璃(glass)。
为了具有光隔离器的功能,需要45°左右的法拉第旋转角。具体而言,使入射至光隔离器的光的偏光面通过法拉第转子而旋转45°,以透过各自经角度调整的入射出射偏光元件。另一方面,利用法拉第转子的不可逆性,使回光的偏光面逆向地旋转45°,成为与入射偏光元件成90°的垂直偏光面,从而回光无法透过。光隔离器正是利用该现象来使光仅沿单一方向透过,而阻止反射后返回的光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2011-150208号公报
专利文献1中记载的YIG单晶体于波长320nm~800nm处具有大的光吸收。因而,在波长320nm~800nm处,该吸收的影响会强力显现,因此无法使用。
至今所使用的光隔离器中,例如使用铽-镓-石榴石(TGG)结晶之类的法拉第转子。TGG的费尔德常数在波长633nm处大至0.46分钟/(Oe·cm)左右,但在波长500nm~600nm处存在大的光吸收,在波长320nm~380nm、450nm~550nm处,该光吸收的影响会强力显现,因此于633nm以下的波长中,该TGG的使用存在限制。另外,1分钟(min)表示1/60度。进而,含铅的玻璃于波长320nm~800nm处的费尔德常数小,若用作法拉第转子,则光路将变长。
发明内容
本发明所欲解决的课题在于,提供一种在波长320nm~633nm处为透明且小型化的光隔离器。尤其提供一种小型光隔离器,适合作为用于医疗、光学计测用等用途的半导体激光中使用的光隔离器。
本发明所欲解决的另一课题在于提供一种光隔离器,其使用法拉第效应大的法拉第转子,且与外形小的磁铁相组合。本发明的另一课题当可根据以下的说明而明确。
上述各课题通过以下的手段<1>而达成。优选的实施方式<2>~实施方式<11>一并列出。
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