[发明专利]薄膜太阳电池模组及其制造方法有效
| 申请号： | 201280057822.2 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103946989A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杉本广纪;石川佳祐;近藤真司 | 申请（专利权）人： | 昭和砚壳石油株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本薄膜太阳电池模组的制造方法具有；在基板上进行里面电极层的成膜的里面电极层成膜步骤；对所述里面电极层进行碱金属的添加的碱金属添加步骤；在所述里面电极层上进行光吸收层的成膜的光吸收层成膜步骤；形成分割所述光吸收层的分割沟，并在所述分割沟内使所述里面电极层的表面露出的分割沟形成步骤；在所述分割沟内所露出的所述里面电极层的表面，使所述里面电极层和所述碱金属进行合金化的合金化步骤；以及在所述光吸收层上及所述分割沟内进行透明导电膜的成膜的透明导电膜成膜步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳电池 模组 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳电池模组的制造方法，具有：在基板上进行里面电极层的成膜的里面电极层成膜步骤；对所述里面电极层进行碱金属的添加的碱金属添加步骤；在所述里面电极层上进行光吸收层的成膜的光吸收层成膜步骤；形成分割所述光吸收层的分割沟，并在所述分割沟内使所述里面电极层的表面露出的分割沟形成步骤；在所述分割沟内露出的所述里面电极层的表面，使所述里面电极层和所述碱金属进行合金化的合金化步骤；及在所述光吸收层上及所述分割沟内进行透明导电膜的成膜的透明导电膜成膜步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
