[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280056840.9 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103959472A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 碳化硅衬底(30)包括：具有彼此相反的第一表面(S1)和第二表面(S2)的n型漂移层(32)；被设置在n型漂移层(32)的第一表面(S1)中的p型体区(33)；被设置在p型体区(33)上的n型发射极区(34)，该n型发射极区(34)与n型漂移层(32)被p型体区(33)分开。栅极绝缘膜(11)被以下述方式设置在p型体区(33)上，使得连接n型漂移层(32)和n型发射极区(34)。p型硅集电极层(70)被以下述方式直接地设置在碳化硅衬底(30)上，使得面向n型漂移层(32)的第二表面(S2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(91，92)，包括：碳化硅衬底(30)，所述碳化硅衬底包括：具有彼此相反的第一和第二表面(S1，S2)的n型漂移层(32)；被设置在所述n型漂移层的所述第一表面中的p型体区(33)；以及被设置在所述p型体区上的n型发射极区(34)，所述n型发射极区与所述n型漂移层被所述p型体区分开；栅极绝缘膜(11)，所述栅极绝缘膜被设置在所述p型体区上，使得所述n型漂移层和所述n型发射极区相互连接；栅电极(9)，所述栅电极被设置在所述栅极绝缘膜上；发射极电极(42)，所述发射极电极与所述n型发射极区和所述p型体区中的每一个接触；以及p型Si集电极层(70)，所述p型Si集电极层被直接地设置在所述碳化硅衬底上以面向所述n型漂移层的所述第二表面。
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