[发明专利]光学倾斜电荷装置及方法无效
申请号: | 201280055790.2 | 申请日: | 2012-11-13 |
公开(公告)号: | CN103930994A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 加布里埃尔·沃尔特 | 申请(专利权)人: | 量子电镀光学系统有限公司 |
主分类号: | H01L29/737 | 分类号: | H01L29/737;H01L29/778;H01L33/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 马来西*** | 国省代码: | 马来西亚;MY |
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摘要: | 本发明揭示一种用于以经改进效率产生光学信号的方法,所述方法包含以下步骤:提供层式半导体结构,所述层式半导体结构包含衬底、第一导电类型的半导体集电极区域、安置于所述集电极区域上的第二导电类型的半导体基极区域及安置为所述基极区域的表面的一部分上方的台面的所述第一半导体类型的半导体射极区域;在所述基极区域中提供展现量子大小效应的至少一个区域;提供分别与所述集电极区域、所述基极区域及所述射极区域耦合的集电极电极、基极电极及射极电极;在所述基极区域的所述表面的至少所暴露部分上方提供穿隧势垒层;及相对于所述集电极电极、所述基极电极及所述射极电极而施加信号以从所述基极区域产生光学信号。本发明还揭示一种具有InGaAsN量子阱的光学倾斜电荷装置。 | ||
搜索关键词: | 光学 倾斜 电荷 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于以经改进效率产生光学信号的方法,其包括以下步骤:提供层式半导体结构,所述层式半导体结构包含衬底、第一导电类型的半导体集电极区域、安置于所述集电极区域上的第二导电类型的半导体基极区域及安置为所述基极区域的表面的一部分上方的台面的所述第一半导体类型的半导体射极区域;在所述基极区域中提供展现量子大小效应的至少一个区域;提供分别与所述集电极区域、所述基极区域及所述射极区域耦合的集电极电极、基极电极及射极电极;在所述基极区域的所述表面的至少所暴露部分上方提供穿隧势垒层;及相对于所述集电极电极、所述基极电极及所述射极电极而施加信号以从所述基极区域产生光学信号。
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