[发明专利]真空处理装置有效
申请号: | 201280055610.0 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN103930985B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 大森美纪;岩井治宪;立野勇一;久保昌司 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/458 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 朱美红,李婷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种真空处理装置(10),如果使插入在贯通孔(24)中的升降销(27)上升,则载置台(21)上的基板(31)被载置到与升降销(27)的上端连接的盖部件(26)上,从载置台(21)的载置面离开,如果使升降销(27)下降,则基板(31)接触而被载置到载置面上,在设在载置台(21)的载置面上的凹陷(22)的底面中的与盖部件(26)面对的部分上,设有将贯通孔(24)的开口(23)的周围包围的环状的密封部件(25),如果使升降销(27)下降,则盖部件(26)以环状接触在密封部件(25)上,通过密封部件(25)将贯通孔(24)的内侧的空间与外侧的空间分离,防止气体向贯通孔(24)的流入。 | ||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种真空处理装置,其特征在于,具有:真空槽;载置台,在台载置面上载置基板,所述台载置面朝向上方且配置于上述真空槽内;凹陷,设在上述台载置面上;贯通孔,设在上述载置台上,开口在上述凹陷的内部表面上露出;升降销,被插入到上述贯通孔中,上端连接在盖部件上;升降装置,使上述升降销升降移动;和盖部件,设在上述升降销的上端,通过由上述升降装置进行的上述升降销的升降移动,能够在上述凹陷的内部的位置与比上述凹陷靠上方的位置之间升降移动;在上述凹陷的上述内部表面上,设有将上述开口以环状包围的环状的密封部件;通过上述升降销的下降移动,上述盖部件中上述盖部件的背面和上述凹陷的上述内部表面与上述密封部件接触,上述密封部件被推压而变形;上述盖部件在上述盖部件与上述密封部件接触的部分、和上述凹陷的上述内部表面与上述密封部件接触的部分将上述开口分别以环状包围的状态下,配置在上述凹陷的内部;在上述盖部件的背面中的与上述贯通孔面对的部分,突出设置有筒部,所述筒部在底部形成有小孔;上述升降销具有轴部和鼓出部,所述鼓出部比上述小孔大;上述鼓出部被插入在上述筒部的内侧,上述鼓出部设置在上述轴部的上端;在上述鼓出部与上述升降销的周围的边缘部之间配置弹性部件,上述弹性部件的上端与上述鼓出部接触,下端与上述边缘部接触;当上述轴部下降上述密封部件被推压时,上述弹性部件被上述鼓出部和上述边缘部推压被压缩,通过使压缩复原的力,上述盖部件推压上述密封部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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