[发明专利]防止氧化的气体的吹送单元有效
| 申请号： | 201280055529.2 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103930980B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 前田彻;坂仓光昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止氧化的气体的吹送单元，其具备：中空板状基体部(10)，于内部形成有气体流路(53)、(54)；气体入口(20)，使防止氧化的气体流入至气体流路(53)、(54)；贯通孔(30)，以可拔插毛细管(72)的方式贯通基体部(10)的厚度方向，且与气体流路(53)、(54)连通而使防止氧化的气体流出；及薄膜加热器(40)，安装于贯通孔(30)周围的基体部(10)的外面，该防止氧化的气体的吹送单元可利用紧凑的构造有效果地对接合球进行加温。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 氧化 气体 吹送 单元 | ||
【主权项】：
一种防止氧化的气体的吹送单元，其具备：中空板状的基体部，于内部形成有防止氧化的气体的气体流路；贯通孔，以可拔插毛细管的方式贯通所述基体部的厚度方向，且与所述气体流路连通而使防止氧化的气体流出；及薄膜加热器，安装于所述贯通孔周围的所述基体部的外面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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