[发明专利]具有反向极化帽的增强模式III‑N族高电子迁移率晶体管

摘要

在一种方法中形成具有反向极化帽的增强模式III‑N族高电子迁移率晶体管HEMT(200)，所述方法利用例如InGaN帽结构的反向极化帽结构(212)，其用以使二维电子气体2DEG耗尽并形成常关型装置；以及间隔件层(210)，其位于所述反向极化帽结构下面及所述HEMT的势垒层(118)上面，允许在不蚀刻到所述势垒层中的情况下蚀刻所述反向极化帽层。

主权项

一种晶体管，其包括：衬底，其具有顶部表面；分层结构，其具有顶部表面且包含触及所述衬底的所述顶部表面的缓冲层、触及所述缓冲层的沟道层及触及所述沟道层的势垒层，所述势垒层包含第一III‑N族材料；金属源极，其触及所述势垒层的第一区，所述金属源极电连接到所述沟道层；金属漏极，其触及所述势垒层的第二区，所述金属漏极电连接到所述沟道层且与所述金属源极水平间隔开；未掺杂GaN的间隔件结构，其具有顶部表面且触及所述分层结构的所述顶部表面，所述间隔件结构位于所述金属源极和金属漏极之间，且与所述金属源极和金属漏极水平间隔开，所述未掺杂GaN为不同于所述第一III‑N族材料的第二III‑N族材料；经反向极化结构，其具有顶部表面且触及所述间隔件结构的所述顶部表面并与所述间隔件结构共同延伸，所述经反向极化结构包含不同于所述第二III‑N族材料的第三III‑N族材料；金属栅极，其触及所述经反向极化结构的所述顶部表面并与所述经反向极化结构共同延伸；以及钝化层，其在所述间隔件结构与所述金属源极和漏极之间的间隔内触及所述势垒层且位于所述势垒层上方、触及所述间隔件结构且位于所述间隔件结构上方、触及所述经反向极化结构且位于所述经反向极化结构上方以及触及所述金属栅极且位于所述金属栅极上方，所述钝化层具有暴露所述金属栅极的区的开口、暴露所述金属源极的开口及暴露所述金属漏极的开口。