[发明专利]等离子体处理室的压强控制阀总成以及快速交替方法

摘要

一种压强控制阀总成包括具有入口、出口和导管的壳体；入口连接到等离子体处理室的内部且出口连接到真空泵。在其中具有第一组平行槽的固定开槽阀板被固定在导管中使得从室排出进入导管的气体穿过第一组平行槽。在其中具有第二组平行槽的可移动开槽阀板相对于固定开槽阀板可移动以便调整室中的压强。附着到可移动开槽阀板的驱动机构在第一和第二位置之间快速移动可移动开槽阀板以使室中的压强从较高的压强改变到较低的压强或者从较低的压强改变到较高的压强。

主权项

一种在其中处理半导体衬底的等离子体处理室的压强控制阀总成，包括：具有入口、出口和在所述入口和所述出口之间延伸的导管的壳体，所述入口适于连接到所述等离子体处理室的内部且所述出口适于连接到真空泵，所述真空泵在所述室中的半导体衬底的处理过程中使所述等离子体处理室保持在希望的压强设定点；固定开槽阀板，其中具有第一组平行槽且其被不能移动地固定在所述导管中使得从所述室排出进入所述导管的气体穿过所述第一组平行槽；可移动开槽阀板，其中具有第二组平行槽且其相对于所述固定开槽阀板能移动到第一和第二位置以便在所述第一位置比在所述第二位置在更大程度上阻塞所述第一组平行槽；以及驱动机构，其附着到所述可移动开槽阀板且能操作来在所述第一和第二位置之间快速移动所述可移动开槽阀板以使所述室中的压强从较高的压强改变到较低的压强或者从较低的压强改变到较高的压强。