[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201280054480.9 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103918081A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：制备由碳化硅制成的且具有形成的n型区域(14、17)的衬底，使该衬底包括一个主表面(10A)的步骤；在包括主表面的区域中形成p型区域(15、16)的步骤；通过在不小于1250℃的温度下加热其中形成有p型区域(15、16)的衬底，由此从n型区域(14、17)跨p型区域(15、16)在主表面上形成氧化物膜(20)的步骤；去除该氧化物膜(20)以暴露主表面的至少一部分的步骤；和在通过去除氧化物膜(20)暴露的主表面上并与之相接触地形成肖特基电极(50)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备衬底(10)，所述衬底(10)由碳化硅制成并且具有被形成为包括一个主表面(10A)的第一导电类型区域(14、17)；在包括所述主表面(10A)的区域中形成第二导电类型区域(15、16)；通过在1250℃或者更高的温度下加热其中形成有所述第二导电类型区域(15、16)的所述衬底(10)，跨所述第一导电类型区域(14、17)和所述第二导电类型区域(15、16)、在所述主表面(10A)上形成氧化物膜(20)；去除所述氧化物膜(20)以暴露所述主表面(10A)的至少一部分；以及形成肖特基电极(50)，所述肖特基电极(50)与已经通过去除所述氧化物膜(20)暴露的所述主表面(10A)接触。
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