[发明专利]用于计量的基于过程变差的模型优化有效
| 申请号： | 201280053873.8 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN104025275A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | S·潘德夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;克拉-坦科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;肖冰滨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了用于计量的基于过程变差的模型优化的方法。例如，方法包括确定结构的第一模型。所述第一模型基于第一参数集合。为所述结构确定过程变差数据的集合。基于所述过程变差数据的集合改变所述结构的第一模型，以提供所述结构的第二模型。结构的第二模型基于与所述第一参数集合不同的第二参数集合。之后，提供从所述结构的第二模型中得到的仿真频谱。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 计量 基于 过程 模型 优化 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底或晶片上使用重复结构计量来针对结构性分析对参数模型进行优化的方法，该方法包括：确定结构的第一模型，该第一模型基于第一参数集合；为所述结构确定过程变差数据的集合；基于所述过程变差数据的集合，改变所述结构的所述第一模型，以提供所述结构的第二模型，所述结构的第二模型基于与所述第一参数集合不同的第二参数集合；以及提供从所述结构的所述第二模型中得到的仿真频谱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
