[发明专利]用于分割半导体器件复合件的方法有效
| 申请号： | 201280053116.0 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103889643A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吉多·韦斯;艾伯特·配希塔莱尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/40;H01L33/00;H01L33/38;B23K26/364 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于分割半导体器件复合件(1)的方法，所述半导体器件复合件具有带有主面(50)的载体(5)和设置在主面上的半导体层序列(2)。借助于第一激光切割在半导体器件复合件(1)中构成分离槽(4)，其中分离槽(4)将半导体器件复合件(1)在垂直于主面(50)伸展的竖直方向上仅部分分割。将半导体器件复合件(1)沿着分割槽(4)借助于激光以分割切割的方式来完全分割。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分割 半导体器件 复合 方法 | ||
【主权项】：
一种用于分割半导体器件复合件(1)的方法，所述半导体器件复合件具有带有主面(50)的载体(5)和设置在所述主面(50)上的半导体层序列(2)，其中‑借助于第一激光切割在所述半导体器件复合件(1)中构成分离槽(4)，其中所述分离槽(4)将所述半导体器件复合件(1)在垂直于所述主面(50)伸展的竖直方向上仅部分地分割；并且‑将所述半导体器件复合件(1)沿着所述分离槽(4)借助于激光以分割切割的方式完全地分割。
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