[发明专利]有机半导体

摘要

本发明涉及新的有机半导体化合物，所述化合物包含一个或多个在6,12-位上由吸电子基团官能化且任选在3,9-位上被增溶基团取代的二噻吩并[2，3-b：7,8-b′]-s-indaceno[1，2-b：5,6-b′]二噻吩(IDTT)单元，它们的制备方法和其中所用的离析物或中间体，包含它们的聚合物、共混物、混合物和配制剂，该化合物、聚合物、聚合物共混物、混合物和配制剂在有机电子(OE)器件中，尤其是在有机光生伏打(OPV)器件和有机光检测器(OPD)中作为半导体的用途，和包含这些化合物、聚合物、聚合物共混物、混合物或配制剂的OE、OPV和OPD器件。

主权项

包含一个或多个式I二价单元的化合物：其中：X¹、X²、X³、X⁴相互独立地为O、S、Se或Te，T¹和T²相互独立地为O、C(G¹G²)或N‑G¹，G¹和G²相互独立地为吸电子基团，R¹和R²相互独立地表示H，具有1‑30个碳原子的直链、支化或环状烷基，其中一个或多个不相邻C原子任选被‑O‑、‑S‑、‑NR⁰‑、‑SiR⁰R⁰⁰‑、‑CY¹=CY²‑或‑C≡C‑以O和／或S原子不直接相互连接的方式替代，且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN替代，或者表示具有4‑20个环原子且任选被取代的芳基、杂芳基、芳氧基或杂芳氧基，Y¹和Y²相互独立地为H、F、Cl或CN，R⁰和R⁰⁰相互独立地为H或者任选取代的C_1‑40碳基或烃基，优选表示H或具有1‑12个C原子的烷基。