[发明专利]利用光瞳相位信息来测量覆盖的方法及系统有效
| 申请号： | 201280048728.0 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103843123B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 阿姆农·玛纳森;丹尼尔·坎德尔;摩西·巴鲁赫;弗拉基米尔·莱温斯基;诺姆·沙皮恩;约埃尔·L·塞利格松;安迪·希尔;欧哈德·巴沙尔;达莉亚·内格里;奥弗·查哈兰 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明可包含测量跨从半导体晶片的第一覆盖目标反射的照明的一部分的光瞳平面的第一相位分布，其中所述第一覆盖目标经制造以具有第一有意覆盖；测量跨从第二覆盖目标反射的照明的一部分的所述光瞳平面的第二相位分布，其中所述第二覆盖目标经制造以具有与所述第一有意覆盖方向相反且量值相同的第二有意覆盖；确定与所述第一相位分布及所述第二相位分布的总和相关联的第一相位倾斜；确定与所述第一相位分布与所述第二相位分布之间的差相关联的第二相位倾斜；校准一组相位倾斜数据；及确定与所述第一覆盖目标及所述第二覆盖目标相关联的测试覆盖值。 | ||
| 搜索关键词： | 相位 分析 进行 覆盖 计量 | ||
【主权项】：
一种利用光瞳相位信息来测量覆盖的方法，其包括：测量跨从半导体晶片的第一覆盖目标反射的照明的一部分的光瞳平面的第一相位分布，其中所述第一覆盖目标经制造以具有第一有意覆盖；测量跨从所述半导体晶片的第二覆盖目标反射的照明的一部分的所述光瞳平面的第二相位分布，其中所述第二覆盖目标经制造以具有第二有意覆盖，其中所述第二有意覆盖是沿着与所述第一有意覆盖相反的方向，其中所述第一有意覆盖及所述第二有意覆盖具有实质上相同的量值；确定与所述第一相位分布及所述第二相位分布的总和相关联的第一相位倾斜；确定与所述第一相位分布与所述第二相位分布之间的差相关联的第二相位倾斜；利用所述所确定的第二相位倾斜以及所述第一有意覆盖及所述第二有意覆盖的量值而校准一组相位倾斜数据；以及通过比较所述第一相位倾斜与所述组校准的相位倾斜数据而确定与所述第一覆盖目标及所述第二覆盖目标相关联的测试覆盖值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
