[发明专利]使用以二进制格式和多状态格式写入的数据的比较的非易失性存储器中的写入后读取无效

专利信息
申请号: 201280046039.6 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103814409A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: E.沙伦;I.埃尔罗德 申请(专利权)人: 桑迪士克科技股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C11/56;G06F11/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 呈现了写入后读取的技术。在示例实施例中,初始地将主机数据以二进制形式写入到诸如非易失性二进制缓存的非易失性存储器中。然后,将其从二进制部分(410)随后写入到存储器的多状态非易失性部分(420)。在以多状态格式写入之后,然后可以相对在二进制部分中的源页检查来自多状态块的数据的页,以验证多状态写入的质量。可以在存储器器件本身上进行该处理,而不将这些页传输出到控制器。
搜索关键词: 使用 二进制 格式 状态 写入 数据 比较 非易失性存储器 中的 读取
【主权项】:
一种操作非易失性存储器系统的方法,该存储器系统包括控制器电路和通过总线结构与该控制器电路连接的存储器电路,所述存储器电路具有以二进制格式存储数据的非易失性存储器的第一部分和以每单元N位的多状态格式存储数据的非易失性存储器的第二部分,其中,N是2或更大的整数,该方法包括:在所述控制器电路处从主机接收多个至少N页的数据;通过总线结构将多个页从所述控制器电路传输到存储器电路;在所述存储器电路的第一部分中的对应多个字线上写入所述多个页;将N页数据从存储器的第一部分的对应N个字线写入到所述存储器电路的第二部分的单个字线;从存储器的第二部分读取写入的页的数据的第一页和从存储器的第一部分读取写入的页的数据的第一页;在存储器电路上进行从存储器的第二部分读取的第一页数据与从第一部分读取的第一页数据的比较;基于该比较,确定写入到第二部分中的第一页数据是否可能被损坏。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技股份有限公司,未经桑迪士克科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280046039.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top